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同时，月9易结司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，月9易结将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片。司宏国对XR设备的前景表示看好：种电我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年，未来2-5年是持续增长期。

此外，力交LG还表示当前正在开发智能眼镜。▲图为高通第二代骁龙XR2平台预计三星和LG将基于第三代芯片制造XR终端，青海以应对Meta的Quest和苹果的VisionPro等产品。三星和LG并未明确说明何时推出产品，月9易结报道称最早预计在明年上半年。

据韩媒etnews今日报道，种电三星和LG已被证实正在开发基于高通芯片的XR设备。注：力交三星、力交高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟，LG总裁赵柱完（音译）也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示，当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性

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月9易结以下为乐视视频公告全文：。种电b)W2N3和NV-W2N3上NH3产生的理论极限电位的大小。

实验证明Cr掺杂的CeO2纳米棒是在常温条件下将N2催化产生NH3的优异电催化剂，力交Cr的引入导致OV的增加，因此增加了其对NRR的催化活性。2.非解离机制中，青海氮气分子被氢化时，青海两个氮原子仍保持彼此结合的状态，并且存在两种可能的氢化途径：一种是氢化反应优先发生在离表面最远的氮原子上（假设N2分子是末端配位模式），生成一当量的NH3并在催化剂表面留下一个吸附氮原子（或者金属氮化物M≡N单元），随后被氢化给出第二当量的NH3。

2D材料具有单一且完全暴露的晶体表面，月9易结赋予2D材料及其空位以优异的结构稳定性，月9易结因此，设计具有裸露晶面及氮空位稳定的2DTMN是可行的提高NRR催化性能的一种合成方法。2DW2N3具有出色的NRR性能，种电平均NH3产生率为11.66±0.98µgh-1 mg-1cat（3.80±0.32×10-11 molcm-2s-1），法拉第效率（0.10M KOH）在−0.2V时，相对于RHE为11.67±0.93％。